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Cuando hablamos de silicio amorfo, hablamos de un silicio NO-Cristalino al cual, para poder tener un enlace covalente entre sus átomos, se le depositan átomos de Hidrógeno los cuales pueden quedar agrupados o aislados en la estructura formada.

Dicha deposisición del material es realizada a través de la técnica RF CW PECVD – Radio Frecuency Continuous Wave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.

Ventaja: Cuando la dilución de hidrógeno se incrementa lo suficiente, las películas delgadas de silicio que se depositan se microcristalinizan.


CVD – Chemical Vapor Deposition

CW – Continuous Wave

VHF – Very High Frecuency

RF – Radio Frecuency

CARACTERÍSTICAS DE LOS MODULOS THIN FILM


Menor Consumo de Material de Silicio

(Cerca de 1/100, comparado con la oblea de Si Cristalino)


Proceso de Producción Más Corto

(Potencial de Bajo Costo de Producción)


Mejor Coeficiente de Temperatura

Menos decremento de la Potencia de Salida en Altas Temperaturas.

(Casi la mitad comparada con los módulos de Si Cristalino)


Mejora de la Electricidad Generada en un Área Sombreada


Gran Confiabiliad


Apariencia / Estetica / Diseño

(Estructura en Tándem a-Si/mc-Si además de su uso en Aplicaciones Arquitectónicas)

Grafico comparativo Si con a-Si (Si Amorfo)

En relación a un silicio microcristalino la celda esta constituida por un cúmulo de pequeños monocristales cuyo tamaño es del orden de las décimas de milímetros, o aún mas pequeño. La ventaja de este material es que para su fabricación no se requiere pasar por el proceso de cristalización como se hace con las celdas monocristalinas. Ventaja : Pulso-Corto de VHF por Plasma CVD


Permite una Capa Micro-Cristalina

Película de Alta Calidad

Rápida Producción

El Microamorfo es capaz de absover una cantidad particularmente de fotones

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Información Silicio Amorfo

SiAm

Estructura subatomica del Silicio y Silicio amorfo grafico comparativo celda monocristalina, policristalina y Thinfilm Regresar Paneles Solares

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